CEMS מיט קאַלט טרוקן אופֿן

יי מעאַסורעמענט פּרינציפּ: ווו דיפערענטשאַל אַבזאָרפּשאַן (דאָאַס) פֿאַר קיין און SO₂; עלעקטראָטשעמיע פֿאַר O₂

• נול דריפט: ≤±2% F.S.
• שפּאַן דריפט: ≤±2% F.S.
• אָנווייַז טעות: ≤±2% F.S.
• דעטעקשאַן לימיט: ≤0.5% F.S.
• ענטפער צייט (ט90): ≤75 ס

ב. פּאַרטיקיאַלאַט מאַטעריע מאָניטאָר (SDUST-100)

• מעאַסורעמענט קייט: קאָנפיגוראַבלע קייט
• נול דריפט: ± 2% פ.ס. / 24 שעה
• שפּאַן דריפט: ± 2% פ.ס. / 24 שעה

C. טעמפּעראַטור, דרוק און לויפן מאָניטאָר (SVPT-100)

• טעמפּעראַטור מעאַסורעמענט קייט: 0-500 ℃
• אַקיעראַסי: ≤±3℃
• דרוק מעאַסורעמענט קייט: ±10קפּאַ
• פלאָו קורס מעאַסורעמענט קייט: (2 ~ 40) ם / s
• אַקיעראַסי: קאָרעוו טעות ≤±10% ווען לויפן קורס ＞10מ/s; קאָרעוו טעות ≤±12% ווען לויפן קורס ≤10ם/s

ד הומידיטי מאָניטאָר (מאָדעל SSD-100)

• מעאַסורעמענט קייט: (0-40)וואָל%
• אַקיעראַסי: אַבסאָלוט טעות ≤±1.5% ווען הומידיטי ≤5%; קאָרעוו טעות ≤±25% ווען הומידיטי ＞5%

1. סטאַנדערדייזד און מאַדזשאַלער פּלאַן פֿאַר פּשוט און פאַרלאָזלעך זאַץ.
2. באַזירט אויף UV דיפערענטשאַל אַבזאָרפּשאַן ספּעקטראָסקאָפּי (DOAS) טעכנאָלאָגיע, די ינאַווייטיוו מאַלטי-פּאַראַמעטער שלאָס אָפּשאַצונג און ינטערפיראַנס קאַנסאַליישאַן אַלגערידאַם ריאַלייזיז גאָר נידעריק נול דריפט און שפּאַן דריפט איבער אַ ברייט טעמפּעראַטור קייט.
3. אַדאַפּץ פּלק קאָנטראָל מיט הויך אָטאַמיישאַן מדרגה. די פליסיק קריסטאַל פאַרשטעלן דיספּלייז די סיסטעם לויפן דרך און קאַלעקץ דיטיילד סטאַטוס אינפֿאָרמאַציע פון ​​​​די סיסטעם, וואָס קענען זיין געוויינט ווי די מערסט גינציק מיטל פֿאַר וועראַפאַקיישאַן פון דאַטן גילטיקייַט.